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J-GLOBAL ID：200902292425054409   Reference number：07A0255375

Large Coulomb-Blockade Oscillations and Negative Differential Conductance in Silicon Single-Electron Transistors with [100]- and [110]-Directed Channels at Room Temperature

[100]および[110]方向に沿ったチャンネルを有するシリコン単一電子トランジスタの室温における大きなCoulombブロッケード振動と負の微分コンダクタンス

Author (2)： KOBAYASHI Masaharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 46  Issue： 1  Page： 24-27  Publication year： Jan. 15, 2007 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *single electron transistor ,...
Semi thesaurus term： 微分抵抗

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JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (18)：

• Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe: Electron. Lett.31(1995)136.
• H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, T. Hiramoto, and T.Ikoma: Appl. Phys. Lett.68(1996)3585.
• L. Zhuang, L. Guo, and S. Y. Chou: Appl. Phys. Lett.72(1998)1205.
• K. Uchida, J. Koga, R. Ohba, and A. Toriumi: IEDM Tech. Dig., 2000, p863.
• M. Saitoh and T. Hiramoto: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 758.

Terms in the title (6)： チャンネル ,  シリコン ,  単一電子トランジスタ ,  室温 ,  Coulombブロッケード ,  微分コンダクタンス