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J-GLOBAL ID：200902293476009048   Reference number：05A0995590

Fabrication of diamond MISFET with micron-sized gate length on boron-doped (111) surface

ほう素をドープした(111)表面上でのミクロンサイズのゲート長さを有するダイヤモンドMISFETの作製

Author (7)： SAITO Takeyasu (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  PARK Kyung-ho (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  HIRAMA Kazuyuki (Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN) ,  UMEZAWA Hitoshi (Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN) ,  SATOH Mitsuya (Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN) ,  KAWARADA Hiroshi (Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 14  Issue： 11-12  Page： 2043-2046  Publication year： Nov. 2005 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： boron ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： ほう素 ,  ドープ ,  ミクロンサイズ ,  ゲート ,  ダイヤモンド ,  MISFET ,  作製