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J-GLOBAL ID：200902294417288576   Reference number：05A0336782

Air Stable n-type Top Gate Carbon Nanotube Filed Effect Transistors with Silicon Nitride Insulator Deposited by Thermal Chemical Vapor Deposition

熱化学気相蒸着により蒸着した窒化けい素絶縁体を持つ空気中で安定なn型トップゲートのカーボンナノチューブの電界効果トランジスタ

Author (6)： KOJIMA Atsuhiko (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  SHIMIZU Mitsuyasu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  HYON Chan Kyeong (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KAMIMURA Takafumi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MAEDA Masatoshi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MATSUMOTO Kazuhiko (JST-CREST, Saitama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 44  Issue： 8-11  Page： L328-L330  Publication year： Mar. 10, 2005 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (11)：

• 1) S. Iijima: Nature 354 (1991) 56.
• 2) S. J. Tans, A. R. M. Vershueren and C. Dekker: Nature 393 (1998) 49.
• 3) R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel and P. Avouris: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2447.
• 4) H. W. Ch. Postman, T. Teepen, Z. Yao, M. Grifoni and C. Dekker: Science 293 (2001) 76.
• 5) K. Matsumoto, S. Kinoshita, Y. Gotoh, K. Kurachi, T. Kamimura, M. Maeda, K. Sakamoto, M. Kuwahara, N. Atoda and Y. Awano: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 2415.

Terms in the title (8)： 熱化学気相蒸着 ,  蒸着 ,  窒化けい素 ,  絶縁体 ,  空気中 ,  トップゲート ,  カーボンナノチューブ ,  電界効果トランジスタ