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J-GLOBAL ID：200902295012892685   Reference number：05A0491998

Growth of Single Crystalline AlN by Solution Growth Technique

基板結晶 溶液成長法によるAlN単結晶の育成

Author (3)： KAMEI KAZUHITO (住友金属工業 総技研) ,  INOUE SHIGERU (住友金属工業 総技研) ,  ITO YUTAKA (東大 生産技研)
Material： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
Volume： 32  Issue： 1  Page： 20-23  Publication year： Mar. 31, 2005 
JST Material Number： F0452B  ISSN： 0385-6275  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,...
Semi thesaurus term： TEM【顕微鏡】

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (15)：

• 1) LEVINSHTEIN M. E. PROPETIES OF ADVANCED SEMICONDUCTOR MATERIALS. JOHN WILEY & SONS, INC.. (2000) vol.31,
• 2) SLACK G. A. J. Crystal Growth. (1977) vol.42, p.560.
• 3) ROJO J. C. Mat. Res. Soc. Proc.. (2002) vol.722,
• 4) 田中素之. 日本結晶成長学会誌. (1998) vol.25, p.163.
• 5) SHI Y. J. Crystal Growth. (2001) vol.233, p.177.

Terms in the title (4)： 結晶 ,  溶液成長 ,  AlN ,  単結晶の育成