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J-GLOBAL ID：200902299940372302   Reference number：04A0912640

Effect of carbon doping on buffer leakage in AlGaN/GaN high electron mobility transistors

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのバッファ漏れに対する炭素ドーピングの効果

Author (6)： POBLENZ C (Univ. California, California) ,  WALTEREIT P (Univ. California, California) ,  RAJAN S (Univ. California, California) ,  HEIKMAN S (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California) ,  SPECK J S (Univ. California, California)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 22  Issue： 3  Page： 1145-1149  Publication year： May. 2004 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Substance index (1)： Carbon tetrabromide

Terms in the title (5)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  バッファ ,  炭素ドーピング