強誘電体メモリ素子及びそれを備えた電子機器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡邊隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002073091
Publication number (International publication number)：2002353421
Application date： Mar. 15, 2002
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 50nm以下の薄い膜厚領域において、高い分極モーメント及び高いキュリー温度を有する強誘電体メモリ素子及びこの素子を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】三方晶のBaTiO<SB>3</SB>を擬立方晶<111>に配向させて記録層3とする。このBaTiO<SB>3</SB>の結晶構造を擬立方晶<111>方向に、バルクに比べて2%以上ひきのばすことで、分極モーメント及びキュリー温度を高める。記録層3の結晶構造をひずませるためには下地層となる電極層2に対するエピタキシャル成長を用いる。このような記録層を備えた強誘電体メモリ素子。このような強誘電体メモリ素子を備えた電子機器。

Claim (excerpt)：

三方晶のBaTiO<SB>3</SB>を擬立方晶<111>方向に配向させて記録層とし、前記記録層における擬立方晶<111>方向の分極モーメントを信号の記録読み出しに利用することを特徴とする強誘電体メモリ素子。

FI (2)：

H01L 27/10 444 C , H01L 27/10 444 Z

F-Term (14)：

5F083FR00 , 5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083FR03 , 5F083GA21 , 5F083HA08 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083JA47 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

誘電体キャパシタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-311152 Applicant：株式会社東芝
薄膜キャパシタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-238088 Applicant：株式会社東芝
記録媒体及び記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-272953 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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