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J-GLOBAL ID：200903062532181330

半導体装置の製造方法、強誘電体キャパシタ、およびその製造方法

Inventor： 朱 莎 ,  能代 英之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998258794
Publication number (International publication number)：2000091511
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造において、強誘電体膜の自発分極を最大化する。【解決手段】 下側電極を形成後、強誘電体膜を堆積する前に、前記下側電極を不活性雰囲気中において急速熱処理する。

Claim (excerpt)：

強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、基板上に下側電極を形成する工程と、前記下側電極を急速熱処理する工程と、前記急速熱処理工程の後、前記下側電極上に強誘電体膜を堆積する工程と、前記強誘電体膜を熱処理し、結晶化する工程と、前記強誘電体膜上に上側電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

F-Term (16)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA31 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-099773   Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035838   Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 誘電体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-149524   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-232509   Applicant：株式会社東芝
• 半導体メモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-202789   Applicant：シャープ株式会社
• 電子装置およびその製造方法ならびに誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに強誘電体不揮発性記憶装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-313392   Applicant：ソニー株式会社