レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003124633
Publication number (International publication number)：2004027210
Application date： Apr. 30, 2003
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【解決手段】珪素を含有するモノマーと、LogP又はcLogPの値が0.6以下の範囲である極性モノマーとの共重合による高分子化合物をベース樹脂として配合してなることを特徴とするレジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特に優れた2層レジスト用の材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

珪素を含有するモノマーと、LogP又はcLogPの値が0.6以下の範囲である極性モノマーとの共重合による高分子化合物をベース樹脂として配合してなることを特徴とするレジスト材料。

IPC (5)：

C08F230/08 , C08F220/28 , G03F7/039 , G03F7/075 , H01L21/027

FI (5)：

C08F230/08 , C08F220/28 , G03F7/039 601 , G03F7/075 511 , H01L21/30 502R

F-Term (37)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB32 , 2H025CB41 , 2H025CB51 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA02P , 4J100BA11Q , 4J100BA15Q , 4J100BA40Q , 4J100BA72P , 4J100BA75P , 4J100BA80P , 4J100BA81P , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC51P , 4J100BC53Q , 4J100BC58Q , 4J100BC60Q , 4J100CA04 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

ポジ型シリコーン含有感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-164834 Applicant：富士写真フイルム株式会社
特開平3-043076
ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-338486 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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