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J-GLOBAL ID：200903015497827151

珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  武田 隆信 ,  石原 俊信 ,  久保田 透 ,  殿村 洋一
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001056536
Publication number (International publication number)：2002256033
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Sep. 11, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 一般式(1)又は(2)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。【化1】(式中、R1はアルキレン基、R2は水素原子、又はアルキル基、R3、R4、R5はアルキル基、ハロアルキル基、アリール基、又は珪素含有基であり、R3、R4、R5の少なくとも一つが珪素含有基である。R6は酸素原子、アルキレン基、又はアリーレン基である。R7〜R9はアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又はアリール基である。nは2〜10の整数である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明の高分子化合物及びレジスト材料は、これらの特性より、特に優れた2層レジスト用の材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

一般式(1)〜(3)で表される少なくとも1種の繰り返し単位を含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、R2は水素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、R3、R4、R5は同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基、ハロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、又は式中の珪素原子とシロキサン結合もしくはシルアルキレンで結合している珪素含有基であり、R3、R4、R5の少なくとも一つが珪素含有基である。R6は酸素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又はアリーレン基である。R7〜R16は同一又は異種の炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又はアリール基である。nは2〜10の整数である。)

IPC (14)：

C08F230/08 ,  C08F212/14 ,  C08F214/00 ,  C08F216/14 ,  C08F220/10 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/00 ,  C08F234/00 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/16 ,  C08L 43/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (14)：

C08F230/08 ,  C08F212/14 ,  C08F214/00 ,  C08F216/14 ,  C08F220/10 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/00 ,  C08F234/00 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/16 ,  C08L 43/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (104)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB07 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA41 ,  4J002BC121 ,  4J002BD021 ,  4J002BD121 ,  4J002BD151 ,  4J002BE041 ,  4J002BG021 ,  4J002BG091 ,  4J002BH021 ,  4J002BJ001 ,  4J002BK001 ,  4J002BQ001 ,  4J002DF008 ,  4J002ED057 ,  4J002EH147 ,  4J002EJ037 ,  4J002EL067 ,  4J002EN008 ,  4J002ER006 ,  4J002ES016 ,  4J002EU008 ,  4J002EU028 ,  4J002EU048 ,  4J002EU118 ,  4J002EU228 ,  4J002EV017 ,  4J002EV026 ,  4J002EV216 ,  4J002EV236 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002FD208 ,  4J002GP03 ,  4J100AB07S ,  4J100AC02R ,  4J100AC22R ,  4J100AC26R ,  4J100AE01S ,  4J100AK32Q ,  4J100AL02S ,  4J100AL34R ,  4J100AL44R ,  4J100AL44S ,  4J100AM07R ,  4J100AP16P ,  4J100AR09S ,  4J100AR11S ,  4J100AR31Q ,  4J100AR32Q ,  4J100AR36Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA02S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03S ,  4J100BA05S ,  4J100BA06S ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15S ,  4J100BA22S ,  4J100BA72S ,  4J100BA80P ,  4J100BA80S ,  4J100BA81P ,  4J100BA81S ,  4J100BB07Q ,  4J100BC03Q ,  4J100BC03S ,  4J100BC04S ,  4J100BC07S ,  4J100BC08S ,  4J100BC09S ,  4J100BC22S ,  4J100BC23S ,  4J100BC43S ,  4J100BC45S ,  4J100BC51S ,  4J100BC53S ,  4J100BC60S ,  4J100CA03 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• オルガノシリコンの側鎖を含むターポリマーおよびレリーフ構造を作成するためのその使用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-208028   Applicant：オリン・マイクロエレクトロニツク・ケミカルズ・インコーポレイテツド
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-106810   Applicant：富士写真フイルム株式会社