薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995273615
Publication number (International publication number)：1997090427
Application date： Sep. 26, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】低抵抗の信号線を有した、高開口率のTFT-LCD(薄膜トランジスタ液晶表示装置の提供。【解決手段】互いに分離されたソース・ドレイン電極の一方を透明電極材料、他方のソース・ドレイン電極を金属、または金属と透明電極材料との多層構造と、した電界効果型絶縁ゲート薄膜トランジスタを用いる。

Claim (excerpt)：

互いに分離された二つのソース・ドレイン電極を有し、一方のソース・ドレイン電極を透明電極材料とし、他方のソース・ドレイン電極を金属としたことを特徴とする電界効果型絶縁ゲート薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 616 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

アクティブマトリクス型液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-256706 Applicant：株式会社日立製作所
特開平2-008821
液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-007921 Applicant：富士通株式会社

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