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J-GLOBAL ID：200903000055412710

荷電ビーム描画方法

Inventor： 山 崎 聡 ,  玉 虫 秀 一 ,  安 瀬 博 人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217554
Publication number (International publication number)：1997063930
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 低加速電圧の荷電ビーム描画装置でマスク基板上で所望のパターン寸法よりも寸法の小さな光近接効果補正用の補助パターンを形成する。【解決手段】 荷電ビームを走査して試料上に所望のパターンを描画するに際して、所望のパターンの角、あるいは辺、あるいは所望の箇所に所望の形状の補助パターンを配置して所望のパターンと補助パターンを描画する荷電ビーム描画方法において、補助パターンと所望のパターンとを描画に用いる描画データ上で識別可能として、所望のパターンと補助パターンとを別々に細めあるいは太め処理を施して、補助パターンと所望のパターンからなる描画データを用いて描画する。また描画時に描画データから補助パターンを識別して、補助パターンを所望のパターンより照射量を増やして描画する。描画時に描画データから補助パターンを識別して、補助はパターンを所望のパターンよりも回数を多く描画する。

Claim (excerpt)：

荷電ビームを走査して試料上に回路素子に関する所望のパターンを描画する荷電ビーム描画方法において、所定角、所定辺を有する所定形状をウェハ上に光投影露光装置等により転写するため、そのウェハ上の形状を所定の倍率で拡大した形状を備えるマスク上の所望のパターンに関する第1の描画データを作成するステップと;前記マスク上の所望のパターンを光投影露光装置により縮小してウェハ上に転写する際に、前記所望のパターンにおける角および辺を含むウェハ上での所望の形状が不鮮明になるのを防ぐために設けられるマスク上の所望の形状の補助パターンに関する第2の描画データを作成するステップと;前記第1の描画データと第2の描画データを併せてマスク描画データとして、前記所望のパターンと前記補助パターンとをマスク描画データ上で識別するステップと;前記ステップにより識別された結果に基づいて前記所望のパターンと前記補助パターンとを識別して、前記所望のパターンと前記補助パターンとをマスク上に荷電ビームにより描画する際に、前記所望のパターンと前記補助パターンとで荷電ビームの照射量比率を適宜変化させて描画するステップと; を備えることを特徴とする荷電ビーム描画方法。

FI (2)：

H01L 21/30 541 M ,  H01L 21/30 541 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• マスクROMの露光データ作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-295697   Applicant：富士通株式会社
• 光露光用マスクおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-025914   Applicant：松下電子工業株式会社
• 図形データ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-230665   Applicant：富士通株式会社