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J-GLOBAL ID：200903000086555722

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
三原 智

About 三原 智


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994190212
Publication number (International publication number)：1996055698
Application date： Aug. 12, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：
【要約】【目的】 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関し、特に、半導体製造工程における有機レジストのアッシング工程におけるアッシングレートが大きく、且つ、ダメージの少ないアッシング装置及びアッシング方法を提供する。【構成】 ガスをプラズマ化するプラズマ発生室4、反応室8、マイクロ波導波管1、及び、上記マイクロ波導波管1と前記プラズマ発生室4とを分離するマイクロ波透過窓2を具備すると共に、マイクロ波を遮断し且つ反応性活性種のみを通過させるマイクロ波遮蔽体5a,6aによってプラズマ発生室と反応室とを分離するプラズマ処理装置において、プラズマ発生室4のプラズマ密度が高い部分を前記マイクロ波遮蔽体を構成する導体6aで遮蔽し、前記導体6aの周囲に前記反応性活性種が通過できる間隙7aを設ける。
Claim (excerpt)：
ガスをプラズマ化するプラズマ発生室、プラズマ処理を行う反応室、マイクロ波導波管、及び、前記マイクロ波導波管と前記プラズマ発生室とを分離するマイクロ波透過窓を具備すると共に、マイクロ波を遮断し且つ反応性活性種のみを通過させるマイクロ波遮蔽体によって前記プラズマ発生室と前記反応室とを分離するプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生室のプラズマ密度が高い部分を前記マイクロ波遮蔽体の一部を構成する導体で遮蔽し、前記導体の周囲に前記反応性活性種が通過できる間隙を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (2)：
H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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