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J-GLOBAL ID:200903000118194751
基板の切断方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
前田 弘 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999017621
Publication number (International publication number):2000216114
Application date: Jan. 26, 1999
Publication date: Aug. 04, 2000
Summary:
【要約】【課題】 特定素子の断面を観察するため高い位置精度で基板を切断する方法を提供する。【解決手段】 基板1の上で半導体素子2を含む解析領域17を決定した後、解析領域17を通る直線3を想定する。次いで、直線3上の位置にレーザビーム10を照射し、それによって損傷部分9を基板1に形成する。その後、基板1の何れかの部位に力6を加え、損傷部分9から基板1を割り、基板1の断面を露出させる。
Claim (excerpt):
基板上で断面観察の対象を含む解析領域を決定する工程と、前記解析領域を横切る仮想的な平面のうち前記基板の表面に対して実質的に垂直な平面が前記基板の前記表面または裏面と交わる直線上の位置にレーザビームを照射し、それによって少なくともひとつの損傷部分を前記基板に形成する工程と、前記基板の何れかの部位に力を加え、それによって前記損傷部分から前記基板を割り、前記基板の断面を露出させる工程とを包含する基板の切断方法。
IPC (4):
H01L 21/301
, G01N 1/28
, H01L 21/66
, H01L 21/68
FI (4):
H01L 21/78 B
, H01L 21/66 N
, H01L 21/68 G
, G01N 1/28 G
F-Term (10):
4M106AA01
, 4M106BA11
, 4M106CA51
, 4M106DH08
, 4M106DH32
, 4M106DH57
, 4M106DH60
, 4M106DJ04
, 5F031MA21
, 5F031MA33
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体装置の解析方法と解析装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-025055
Applicant:松下電子工業株式会社
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特開平4-247636
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半導体試料劈開方法及びけがき線形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-304354
Applicant:日本電気株式会社
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