半導体試料劈開方法及びけがき線形成装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997304354
Publication number (International publication number)：1999145087
Application date： Nov. 06, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体試料の所望の分析箇所に劈開面を形成する。【解決手段】X線回折法で劈開方向を決めフォーカスイオンビーム若しくはレーザービームで破線状にけがき線を刻む。

Claim (excerpt)：

半導体試料の劈開方向をX線回折法によって決定し、フォーカスイオンビーム若しくはレーザービームにより、前記劈開方向に破線状にけがき線を刻んだ後、前記半導体試料の前記けがき線を境にして一方の側を固定して、他方の側に前記半導体試料の表面に垂直な方向に外力を加えて劈開することを特徴とする半導体試料劈開方法。

FI (2)：

H01L 21/78 U , H01L 21/78 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

III -V族半導体ウエ-ハ及びその加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124159 Applicant：住友電気工業株式会社
特開昭53-138272
特開昭53-145564

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