半導体デバイス、半導体デバイスアレイ、半導体生成物及び縦形半導体デバイスの作製方法並びにDRAM生成物の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999082088
Publication number (International publication number)：1999330422
Application date： Mar. 25, 1999
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】縦形半導体に関連する欠点を克服して、改善された手段を実現し、デバイスエリアサイズを小型化すると共に、デバイスサイズを過度に縮小せず、さらなるデバイス作製を制限しないデバイス技術を実現すること。【解決手段】半導体デバイスにおいて、該半導体デバイスは、垂直方向に配向されており、垂直方向に配向されているゲート及び該垂直方向に配向されているゲートに結合されたワード線を有すること

Claim (excerpt)：

半導体デバイスにおいて、該半導体デバイスは、垂直方向に配向されており、下記の構成要件を有し、即ち、垂直方向に配向されているゲート;該垂直方向に配向されているゲートに結合されたワード線を有することを特徴とする半導体デバイス。

IPC (2)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/10 671 A , H01L 27/10 625 A , H01L 27/10 681 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

トレンチDRAMセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-009846 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
トレンチ記憶キャパシタ上に積層したアクセス・トランジスタを有する折返しビット線超高集積度ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-150932 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-088809 Applicant：株式会社東芝

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