半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994162316
Publication number (International publication number)：1996032040
Application date： Jul. 14, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】完全空乏化型SOIトランジスタのしきい値電圧のSiO2 層下部に存在するシリコン基板の電位変化に対する変動を防止することにある。【構成】本発明のSOI型半導体装置は、SiO2 層2とシリコン基板1との界面近傍の所望の位置に、1×1017cm-3という比較的濃度の高い不純物拡散領域11や38を有する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の上に形成された絶縁体薄膜と、この絶縁体薄膜上に形成されたシリコン薄膜とを有する構造を有する基板を備えた半導体装置において、前記シリコン基板は少なくとも一種類の不純物元素を含有し、かつかかる不純物元素の濃度が1×1017cm-3以上である事を特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/78 311 G , H01L 29/78 311 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-271330 Applicant：富士通株式会社
特開平3-119764
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-144639 Applicant：三菱電機株式会社

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