半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997252356
Publication number (International publication number)：1999097682
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の信頼性を高め、素子特性や信頼性の向上をはかることを可能とする。【解決手段】シリコン基板11上にハロゲン元素を含有したゲート絶縁膜14を介して形成されたゲート電極15と、ゲート電極15の両端部に対応して形成されたソース・ドレイン領域12、13とを有し、ソース・ドレイン領域12、13の少なくとも一方の近傍のゲート絶縁膜14に含有されたハロゲン元素の濃度がソース・ドレイン間中央部近傍のゲート絶縁膜14に含有されたハロゲン元素の濃度よりも高い。

Claim (excerpt)：

半導体上にハロゲン元素が含有された絶縁膜を介して形成された電極と、この電極の両端部に対応して形成された一対の不純物拡散領域とを有し、前記一対の不純物拡散領域の少なくとも一方の近傍の前記絶縁膜に含有されたハロゲン元素の濃度が前記一対の不純物拡散領域間中央部近傍の前記絶縁膜に含有されたハロゲン元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-212987 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-319686 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (2)

半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-212987 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-319686 Applicant：三菱電機株式会社

Return to Previous Page