Pat

J-GLOBAL ID：200903076279834757

半導体装置とその製造方法

Inventor： 古川 彰彦 ,  阿部 雄次
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 大岩 増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994319686
Publication number (International publication number)：1996181309
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 MOS型半導体素子のゲート電極エッジ部での電界変調、及びゲート絶縁膜の劣化を減少させることにより素子の信頼性向上を計る。【構成】 シリコン基板1にゲートシリコン酸化膜7、ポリシリコンゲート電極8を形成し、写真製版により所望のゲート長を得、次いでウェットエッチング等によりゲートシリコン酸化膜7を細らせる。次に高誘電率膜18を堆積させ、ゲートシリコン酸化膜7を細らせた部分のポリシリコンゲート電極8下に埋め込み、横方向(ソースからドレインに向かう方向)に高誘電率膜18、シリコン酸化膜7、高誘電率膜18からなるゲート絶縁膜が形成される。【効果】 ゲート電極を仮想的に下向きの凹型構造とすることにより、ショートチャンネル効果に強い素子が作成でき、工程数の増加もほとんどない。

Claim (excerpt)：

基板の主表面上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する半導体装置において、基板の主表面に平行な方向に、誘電率の異なる複数の層よりなるゲート絶縁膜を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/43

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

• 特開昭61-183969
  
• 特開昭63-044766
  
• MISトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-225019   Applicant：日産自動車株式会社
• 特開平4-062974
  
• 特開平3-296270
  
• 特開昭58-084462
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000190   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305289   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平4-116869
  
• オフセツトゲート構造トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-206769   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭50-057389
  
• 特開平3-142841
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-184829   Applicant：松下電子工業株式会社