Pat

J-GLOBAL ID：200903000337800152

不揮発性記憶装置

Inventor： マクミラン,ラリー ディー. ,  三原 孝士 ,  由森 博之 ,  グレゴリー,ジョン ダブリュ. ,  パズ デ アロウジョ,カルロス エー.
Applicant, Patent owner： シメトリックス・コーポレーション ,  オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995526357
Publication number (International publication number)：1996511895
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：

【要約】集積形の記憶ユニット(12,600)は、キャパシタ(30,30A)、トランジスタ(32,32A)、および10Vより小なる電圧で強誘電材料(50,74)を飽和へ分極化する飽和手段(29,25,14,62,43,15,61;71A,72A)を包含する。キャパシタの1つの電極(47,49A)とトランジスタのゲート(33,33A)は同じ導電部材である。他方の電極はゲート(33A)の下方にあるトランジスタのソース(71)とドレイン(77)の延長部(71A,72A)により形成される。キャパシタ(230,30A)は静電容量Cf、および面積Afを有し、トランジスタ(232,32A)は面積Ag、ゲート静電容量Cg、ゲート重複b、およびチャンネル深さaを有するゲートキャパシタ(233,255,266)を形成する。強誘電性の材料(250,74)は誘電率εfを、ゲート絶縁物(268,86)は誘電率εgを有する。記憶ユニットはパラメータ的関係として、Cf<5×Cg、Af≦2Ag、b≧2a、およびεg≧εf/8を有する。

Claim (excerpt)：

第1の電極(47,47A)、第2の電極(49,49A)、および該第1と第2の電極間の強誘電性材料(50,74)を有する強誘電性キャパシタ(30,30A);ゲート(33,33A)を有するトランジスタ(32,32A)であって該キャパシタの1つの電極が該トランジスタの該ゲートに接続されているもの;および、10ボルトより低い電圧で該強誘電材料を分極する飽和手段(29,25,21,62,43,15,61;71A,72A);を具備することを特徴とする強誘電性、不揮発性の、非破壊読み取り用集積回路形の記憶用ユニット(12,600)。

IPC (8)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 強誘電体メモリ及びその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-197812   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 特開昭55-128873
  
• 半導体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-267177   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭55-128873