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J-GLOBAL ID：200903000348394733

半導体装置の製造方法

Inventor：
和泉 宇俊

About 和泉 宇俊


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994011260
Publication number (International publication number)：1995221176
Application date： Feb. 03, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、半導体集積回路の形成途上における多層配線の層間絶縁膜にTEOS-O3 系を反応ガスの原料としたNSG膜を用いる場合の層間絶縁膜の製造方法に関し、NSG膜からの水分の下地ブロック膜による適正な対処法、及び下地ブロック膜による層間絶縁膜の表面凹凸依存性をなくす。【構成】 TEOS-O3 系反応ガスを用いて形成されたNSG膜1が層間絶縁膜として用いられた半導体装置において、NSG膜1の下層にあらかじめ下地ブロック膜として、屈折率n=1.65以下のSiON膜2を形成する。
Claim (excerpt)：
テトラエチルオキシシラン-オゾン(TEOS-O3 )系反応ガスを用いて形成された実質的にノンドープの珪酸ガラス(NSG)膜(1) が層間絶縁膜として用いられた半導体装置において、該NSG膜(1) の下層にあらかじめ下地ブロック膜として、屈折率n=1.65以下のオキシ窒化シリコン(SiON)膜(2) を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/768 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-004192   Applicant：川崎製鉄株式会社
  • 特開昭51-150630
  • 半導体素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-050745   Applicant：沖電気工業株式会社
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