Pat
J-GLOBAL ID：200903090876478239
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993004192
Publication number (International publication number)：1994216122
Application date： Jan. 13, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：
【要約】【目的】 水分の含有が少なく、かつ、その上にボイドがなく、膜厚依存性のないO3-TEOS SiO2膜が形成されるようなP-TEOS SiON 膜を形成する。【構成】 シリコン基板上にBPSG膜1を形成後、Al配線2を形成する。次にシリコン基板を400 °Cに加熱し、流量が100sccm 、バブラー温度が25°CのN2によりTEOSをバブリングして供給するとともに、流量が30sccmのNH3 を加え、O2を加えることなくP-TEOS SiON 膜3を形成する。次に、その上にO3-TEOS SiO2膜4を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体装置の絶縁膜の少なくとも一部を、有機シランとNH3とを使用したプラズマCVD 法で形成したSiON膜を以て形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
