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J-GLOBAL ID：200903000352521421

半導体加速度センサの製造方法

Inventor：
齊藤 宏

About 齊藤 宏

, 
赤井 澄夫

About 赤井 澄夫


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999145729
Publication number (International publication number)：2000340804
Application date： May. 26, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】カンチレバーの破損が無く、組立て作業を容易に行うことのできる半導体加速度センサの製造方法を提供することにある。【解決手段】アルミ薄膜7とマス部5の上面のパッド14’とをアルミワイヤボンディングによってアルミワイヤによるブリッジ28をスリット10を亘るように形成する。このアルミワイヤボンディングはカンチレバー4の折損を防ぐために、スリット10を貫通させる前に行う。ブリッジ28は、電流を流した場合に溶断するように、太さを調整して形成される。ダイシングを行って、個々のセンサチップ1に分割した後に、センサチップ1の電圧印加用パッド16、16に、電源と接続されたプローブ等の端子を当接して両電圧印加用パッド16,16間に電圧を印加することによりアルミワイヤのブリッジ28に電流を流して該ブリッジ28を溶断し、カンチレバー4を可動とする。
Claim (excerpt)：
マス部と、該マス部をスリットを介して囲むように設けられたセンサチップと、該センサチップとマス部との間を弾性を有するビームにより連結してマス部を支持する支持体と、該支持体上に形成されたゲージ抵抗と、センサチップ両面にガラスストッパーが夫々接合された半導体加速度センサの製造方法において、マス部の外周の一カ所以上と、センサチップとを、マス部とセンサチップとの間のスリットを亘るように形成した低抵抗金属ワイヤのブリッジで固定するとともに低抵抗金属ワイヤに電流を流すための通電路をセンサチップに設け、センサチップの両面にガラスストッパを接合した後、個々のセンサチップをダイシングし、該ダイシング後に上記低抵抗金属ワイヤの両端に通電路を介して印加することにより該低抵抗金属ワイヤに電流を流して該低抵抗金属ワイヤを溶断し、支持体を可動とすることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
IPC (2)：
H01L 29/84 ,  G01P 15/12
FI (2)：
H01L 29/84 A ,  G01P 15/12
F-Term (15)：
4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA23 ,  4M112CA25 ,  4M112CA33 ,  4M112CA36 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA11 ,  4M112DA14 ,  4M112DA16 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112FA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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