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J-GLOBAL ID：200903000354219048
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその電極形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994302586
Publication number (International publication number)：1995254733
Application date： Dec. 07, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 n型層と好ましいオーミック接触が得られた発光素子を提供することにあり、特にエッチングによりダメージを受けたn型層と好ましいオーミック接触を得ると共に、電極とボールとが剥がれにくく、接着強度の大きい電極を備えた発光素子とその発光素子の電極形成方法を提供する。【構成】 絶縁性基板の表面に少なくともn型層と、p型層とが順に積層され、さらにそのp型層の一部がエッチングにより除去されて、n型層に負電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記負電極は少なくともチタンと金とが含まれる合金よりなるか、または少なくともチタンと金とが積層された多層膜よりなり、その負電極と前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層とがオーミック接触していることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板の表面に少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層され、さらにそのp型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングにより除去されて、n型窒化ガリウム系化合物半導体層に負電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記負電極は少なくともチタンと金とが含まれる合金よりなるか、または少なくともチタンと金とが積層された多層膜よりなり、その負電極と前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層とがオーミック接触していることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
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窒化物系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-211793
Applicant：旭化成工業株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-118227
Applicant：日亜化学工業株式会社
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特開平4-213878
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