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J-GLOBAL ID:200903000411476664
金合金細線および金合金バンプ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
田村 弘明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995066591
Publication number (International publication number):1996264544
Application date: Mar. 24, 1995
Publication date: Oct. 11, 1996
Summary:
【要約】【目的】 本発明の目的は、半導体素子の接続に用いられるスタッドバンプ形成時にバンプ高さを低く抑えた金合金バンプおよび金合金細線を提供することにある。【構成】 バンプ高さを低減させるために、Siの含有を主体とし、さらに高さばらつきの低減、接合性の向上のための微量元素を添加することを特徴とする金合金バンプおよびバンプ用金合金細線。
Claim (excerpt):
Siを0.2〜5000重量ppm の範囲で含有し、残部金および不可避不純物からなることを特徴とするバンプ用金合金細線。
IPC (2):
H01L 21/321
, H01L 21/60 301
FI (3):
H01L 21/92 603 B
, H01L 21/60 301 F
, H01L 21/92 604 J
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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特開昭60-095957
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特開昭57-090954
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特開昭52-082183
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特開平2-170931
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特開昭63-145729
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特開平2-250934
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特開平1-198438
-
特開平1-146336
-
半導体素子用ボンディング線
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-262217
Applicant:田中電子工業株式会社
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半導体素子用ボンディング線
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-262216
Applicant:田中電子工業株式会社
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半導体素子用ボンディング線
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-262211
Applicant:田中電子工業株式会社
-
特開平2-215140
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