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J-GLOBAL ID：200903000518477752

SOI基板の製造方法

Inventor：
中井 哲弥

About 中井 哲弥


Applicant, Patent owner：
株式会社SUMCO

About 株式会社SUMCO


Agent (2)： 吉岡 宏嗣 ,  鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005290705
Publication number (International publication number)：2007103619
Application date： Oct. 04, 2005
Publication date： Apr. 19, 2007
Summary：
【課題】 SOI領域とバルク領域の間の表面段差が無く、かつ、BOX層エッジ部の基板表面突き出しが無いことによる基板表面の空洞が無い部分SOI基板を形成させること。【解決手段】 シリコン単結晶からなるシリコン基板1中に酸化層19が部分的に埋め込まれたSOI基板23の製造方法において、シリコン基板中に酸素イオンを注入して酸化層19を形成する前に、シリコン基板1の酸化層19(17)に対応する領域の表面高さが他の領域の表面高さよりも高い段差8を形成する。この方法によれば、製品のSOI基板23のSOI領域とバルク領域の間の表面段差が無く、かつ、BOX層エッジ部の基板表面突き出しが無いことによる基板表面の空洞が無い部分SOI基板を形成させることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶からなるシリコン基板中に酸化層が部分的に埋め込まれたSOI基板の製造方法において、前記シリコン基板中に酸素イオンを注入して前記酸化層を形成する前に、前記シリコン基板の前記酸化層に対応する領域の表面高さが他の領域の表面高さよりも高い段差を形成することを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (2)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/76
FI (2)：
H01L27/12 L ,  H01L21/76 R
F-Term (10)：
5F032AA07 ,  5F032AA91 ,  5F032BA06 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA78
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • SOI基板の製造方法及びSOI基板
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-356338   Applicant：三菱住友シリコン株式会社
  • SOI基板の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-078407   Applicant：シルトロニック・ジャパン株式会社
  • 特開昭63-076377
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Cited by examiner (5)
  • SOI基板の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-078407   Applicant：シルトロニック・ジャパン株式会社
  • 特開昭63-076377
  • 半導体基板の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-332440   Applicant：新日本製鐵株式会社
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