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J-GLOBAL ID：200903000549579170

III族窒化物系化合物半導体の製造方法、III族窒化物系化合物半導体の形成されたウエハ及びIII族窒化物系化合物半導体素子

Inventor： 奥野 浩司 ,  新田 州吾 ,  齋藤 義樹 ,  牛田 泰久 ,  中田 尚幸 ,  坊山 晋也
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008212461
Publication number (International publication number)：2009203151
Application date： Aug. 21, 2008
Publication date： Sep. 10, 2009
Summary：

【課題】結晶軸の揃った、m面を主面とするIII族窒化物系化合物半導体を得る。【解決手段】a面を主面とするサファイア基板に、c面からのオフ角が45度以下の側面を有する凸部を形成する。この後、トリメチルアルミニウムを300〜420°Cで供給して厚さ40Å以下のアルミニウム層を形成し、窒化処理して窒化アルミニウム層とする。すると、a面を主面とするサファイア基板のうち、凸部のc面からのオフ角が45度以下の側面のみからIII族窒化物系化合物半導体のエピタキシャル成長が可能となる。こうして、サファイア基板の主面に平行にm面を有するIII族窒化物系化合物半導体が形成できる。【選択図】図1.A

Claim (excerpt)：

主面に、側面として傾斜した面を少なくとも有する凹凸を形成した基板を用い、 前記基板の表面を加熱処理する工程と、 アンモニアを供給して窒化処理することで前記凹凸を有する前記基板の表面に窒化アルミニウム薄膜を形成する工程と、 主として前記基板の前記凹凸の前記側面に、III族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18

FI (2)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18

F-Term (19)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EF02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 半導体結晶の結晶成長方法、光半導体素子、及び結晶成長基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-215462   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-350463   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化物系半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-030835   Applicant：ローム株式会社
• 成膜方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-234065   Applicant：エア・ウォーター株式会社
• 化合物半導体層の結晶成長方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-008825   Applicant：ソニー株式会社
• 発光デバイスからの光取り出し改良のための核形成層
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-329081   Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

Cited by examiner (6)

• 窒化物半導体結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-350463   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化物系半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-030835   Applicant：ローム株式会社
• 成膜方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-234065   Applicant：エア・ウォーター株式会社
• 半導体結晶の結晶成長方法、光半導体素子、及び結晶成長基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-215462   Applicant：豊田合成株式会社
• 化合物半導体層の結晶成長方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-008825   Applicant：ソニー株式会社
• 発光デバイスからの光取り出し改良のための核形成層
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-329081   Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Dislocation reduction in GaN grown on stripe patterned r-plane sapphire substrates

Cited by examiner (1)

• Dislocation reduction in GaN grown on stripe patterned r-plane sapphire substrates