発光デバイスからの光取り出し改良のための核形成層

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002329081
Publication number (International publication number)：2003158294
Application date： Nov. 13, 2002
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】アルミニウムを含有する核形成層を含む発光デバイスが開示される。【解決手段】この核形成層の厚さとアルミニウム組成は、基板とデバイス層の屈折率を一致させるように選択されて、デバイス層から核形成層に入射する光の90%が基板内に取り出されるようになる。幾つかの実施形態において、核形成層は、約1000オングストロームから約1200オングストロームまでの厚さ、及び約2%から約8%までのアルミニウム組成を有するAlGaNである。幾つかの実施形態において、核形成層は、基板のc-面からミスカットされたウルツ鉱型基板の表面の上に形成される。幾つかの実施形態において、核形成層は、例えば900°から1200°Cまでの高温で形成される。幾つかの実施形態において、核形成層に、約3e18cm-3から約5e19cm-3までの濃度にSiがドープされる。

Claim (excerpt)：

基板と、アルミニウムを含み、前記基板の上にある核形成層と、少なくとも一つの発光層を含み、前記核形成層の上にある複数のIII族窒化物デバイス層と、を備え、前記核形成層のアルミニウム組成と厚さが、デバイス層から該核形成層に入射する光の少なくとも90%が前記基板内に取り出されるように選択される、ことを特徴とする発光デバイス。

F-Term (6)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-353241 Applicant：富士通株式会社
光半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-265311 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-025003 Applicant：株式会社東芝

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