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J-GLOBAL ID:200903000612953355
有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山谷 晧榮 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994244244
Publication number (International publication number):1996111285
Application date: Oct. 07, 1994
Publication date: Apr. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】 基板上に透明電極を形成した後の工程から保護膜形成の工程までを外気の酸化雰囲気から隔離して、連続して真空室中に行い、保護膜形成後に外気中に取出すようにした有機EL素子の製造方法及び装置を提供すること。【構成】 有機エレクトロルミネセンス素子の少なくとも一部の、複数の層状部分を、真空槽1の周辺に形成された複数の作業用真空室11〜16において順次成膜し、保護膜の形成後に外部に取出すようにした。
Claim (excerpt):
有機エレクトロルミネセンス素子の少なくとも一部の複数の層状部分を、真空槽の周辺に形成された複数の作業用真空室において順次成膜し、保護膜の形成後に外部に取出すようにしたことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
IPC (4):
H05B 33/10
, C23C 14/56
, H05B 33/04
, H05B 33/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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有機EL素子の封止方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-187906
Applicant:出光興産株式会社
-
有機薄膜発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-019120
Applicant:富士電機株式会社
-
特開平4-240721
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枚葉式成膜方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-114131
Applicant:国際電気株式会社
-
電界発光素子と保護膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-163367
Applicant:電気化学工業株式会社
-
特開平4-212287
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真空処理方法及び真空処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-249565
Applicant:株式会社日立製作所
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