フルカラー複合半導体発光素子及びこれを用いた発光装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998114689
Publication number (International publication number)：1999307818
Application date： Apr. 24, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】電気的接続が簡単で且つ静電気やサージ等の高電圧の印加に対する耐圧を向上し得るフルカラー発光が可能な発光素子及びこれを用いた発光装置を提供すること。【解決手段】リードフレームまたは基板に導通接続された静電気保護用のSiダイオード3の上に赤,緑,青の各色の半導体発光素子5,6,7を導通搭載するフルカラーの複合半導体発光素子であって、緑及び青の半導体発光素子6,7をGaNを含むフリップチップ型の発光素子とするとともにそのn側及びp側の電極にマイクロバンプ6d,6eを形成し、これらのn側及びp側のマイクロバンプを前記Siダイオードと逆極性として導通させる。

Claim (excerpt)：

リードフレームまたは基板に導通接続された静電気保護用のSiダイオードと、このSiダイオードの上に導通搭載される赤,緑,青の各色の半導体発光素子との組み合わせからなるフルカラーの複合半導体発光素子であって、前記緑色及び青色の半導体発光素子をGaNを含むフリップチップ型の半導体発光素子とするとともにそのn側及びp側の電極にマイクロバンプを形成し、これらのn側及びp側のマイクロバンプを前記Siダイオードと逆極性として導通させてなるフルカラー複合半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開昭59-188181
化合物半導体気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-194211 Applicant：住友電気工業株式会社
特表平5-500737

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Cited by examiner (10)

特開昭59-188181
化合物半導体気相成長方法
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特表平5-500737

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