キャパシタを備えた半導体素子及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三枝英二 (外10名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001204566
Publication number (International publication number)：2002043541
Application date： Jul. 05, 2001
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】パッシべーション工程で発生する水素がキャパシタ内部に拡散されることを効果的に防止することのできる酸化アルミニウム膜からなる水素拡散防止膜を備えた半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明半導体素子は、半導体素子において、トランジスタと該トランジスタ周辺に形成される第1絶縁膜とからなる活性領域と、下部電極、該下部電極上に形成されたキャパシタ薄膜及び該キャパシタ薄膜上に形成された上部電極からなり、前記第1絶縁膜上に形成されたキャパシタ構造と、前記トランジスタ及び前記キャパシタ構造上に形成された第2絶縁膜と、該第2絶縁膜上に形成され、前記トランジスタと前記キャパシタ構造とを電気的に接続する金属配線と、前記金属配線上に形成された酸化アルミニウム膜からなる水素拡散防止膜とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体素子において、トランジスタと該トランジスタ周辺に形成される第1絶縁膜とからなる活性領域と、下部電極、該下部電極上に形成されたキャパシタ薄膜及び該キャパシタ薄膜上に形成された上部電極からなり、前記第1絶縁膜上に形成されたキャパシタ構造と、前記トランジスタ及び前記キャパシタ構造上に形成された第2絶縁膜と、該第2絶縁膜上に形成され、前記トランジスタと前記キャパシタ構造とを電気的に接続する金属配線と、該金属配線上に形成された酸化アルミニウム膜からなる水素拡散防止膜とを含んでなることを特徴とするキャパシタを備えた半導体素子。

IPC (3)：

H01L 27/105 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 651

F-Term (10)：

5F083GA25 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

硬質セラミック材料等を用いた不活性化方法及び構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-052145 Applicant：ラムトロンインターナショナルコーポレーション
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-299789 Applicant：日本電気株式会社, シンメトリクスコーポレーション
特開平2-069960

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