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J-GLOBAL ID：200903000727461790

高耐圧駆動回路

Inventor： 末永 治雄 ,  三原 誠 ,  別荘 大介 ,  石尾 嘉朗 ,  安井 健治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998009364
Publication number (International publication number)：1999214144
Application date： Jan. 21, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 スイッチング制御パルスを高電位差に位置するスイッチング素子に簡素な構成で正確に伝送できる高耐圧駆動回路を提供する。【解決手段】 制御回路1が出力する電圧信号のスイッチング制御パルス2を高耐圧トランジスタ回路4により電流パルス信号5に変換し、ドライブ回路6では電流パルス信号5を再び電圧信号である駆動パルスに変換してスイッチング素子9に出力する。制御回路1の電位とドライブ回路6およびスイッチング素子9の電位との間の高い電位差は高耐圧トランジスタ回路4における高耐圧トランジスタ11の耐圧に絶縁され、その絶縁のもとに電流パルス信号5がスイッチング制御パルス2の情報をドライブ回路6に伝達する。この構成はフォトカプラやパルストランスを用いるよりも簡素でありながら高性能を備えている。

Claim (excerpt)：

スイッチング制御パルスを出力する制御回路と、前記制御回路と異なる電位に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング制御パルスを電流パルス信号に変換する高耐圧トランジスタ回路と、前記スイッチング素子と同電位に接続され、前記電流パルス信号を前記スイッチング素子の駆動パルスに変換するドライブ回路とを備えた高耐圧駆動回路。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体素子のオンオフ制御回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-090397   Applicant：富士電機株式会社
• 電圧駆動形半導体スイッチ素子のゲート駆動回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-272892   Applicant：富士電機株式会社