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J-GLOBAL ID：200903000779490730

3-5族化合物半導体の結晶性向上方法

Inventor： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (3)： 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004077841
Publication number (International publication number)：2004200723
Application date： Mar. 18, 2004
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

【課題】 3-5族化合物半導体の結晶性向上方法を提供する。【解決手段】 (1)基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるn型層、発光層、及びp型層をこの順に有する積層構造の3-5族化合物半導体を製造するに当り、n型層と基板とのあいだに、n型層よりもキャリア濃度の低い下地層を積層することを特徴とする3-5族化合物半導体の結晶性向上方法。(2) 基板と下地層のあいだにバッファ層を積層することを特徴とする上記(1)の方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるn型層、発光層、及びp型層をこの順に有する積層構造の3-5族化合物半導体を製造するに当り、n型層と基板とのあいだに、n型層よりもキャリア濃度の低い下地層を積層することを特徴とする3-5族化合物半導体の結晶性向上方法。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (8)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA47 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒素-3属元素化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316600   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-157219   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (3)

• 窒化物半導体単結晶層の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-022085   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-157219   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041583   Applicant：株式会社日立製作所