半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：日向寺雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006021488
Publication number (International publication number)：2007207784
Application date： Jan. 30, 2006
Publication date： Aug. 16, 2007
Summary：

【課題】ソース電極抵抗の増大を抑えつつ横方向のセルピッチを縮小できる、スーパージャンクション構造を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】素子部100における制御電極8の上に設けられた第2の絶縁膜7の厚さaが、制御電極8が設けられる素子部100に対して隣接した終端部200において半導体層2の主面側に設けられた第3の絶縁膜10の厚さbの1/3以下である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体層と、前記半導体層の主面上に設けられた第1導電型の第1の半導体ピラー領域と、前記第1の半導体ピラー領域に隣接して、前記半導体層の前記主面上に設けられた第2導電型の第2の半導体ピラー領域と、前記半導体層の前記主面の反対側に設けられた第1の主電極と、前記第2の半導体ピラー領域の上に設けられた第2導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の表面に選択的に設けられた第1導電型の第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域の上に設けられた第2の主電極と、前記第1の半導体ピラー領域、前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域の上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に設けられた制御電極と、前記制御電極の上に設けられた第2の絶縁膜と、前記制御電極が設けられる素子部に対して隣接した終端部において、前記半導体層の前記主面側に設けられた第3の絶縁膜と、を備え、前記第2の絶縁膜の厚さが、前記第3の絶縁膜の厚さの1/3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 29/06

FI (6)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 652P , H01L29/78 652N , H01L29/78 652M , H01L29/06 301G , H01L29/06 301D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-307314 Applicant：富士電機株式会社

Cited by examiner (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-033408 Applicant：富士電機株式会社
特開昭63-040341
特開昭63-040341

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