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J-GLOBAL ID：200903000851356334

ドライエッチング方法

Inventor：
柳田 敏治

About 柳田 敏治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994128594
Publication number (International publication number)：1995335624
Application date： Jun. 10, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 高融点金属ポリサイドゲートのエッチングにおいて、サイドエッチングを防止し、かつレジストマスクやゲート絶縁膜との選択比を向上し、低ダメージでクリーンなプロセスを提供する。【構成】 高融点金属ポリサイド層5を、ヨウ素系ガスを用いてエッチングする。またフッ素系ガスとの混合ガスを用い、混合比をかえて2段階エッチングする。このとき形成される側壁保護膜7は、CIx やSiIx 等のヨウ素系反応生成物を含むものであり、高いドライエッチング耐性を有する。【効果】 異方性加工に必要なイオンエネルギを低減でき、選択比が向上し、下地ゲート絶縁膜スパッタやパターンシフトが生じない。イオウの堆積を側壁保護膜に併用すれば、一層の低ダメージ化、低汚染化が図れる。
Claim (excerpt)：
基板上に多結晶シリコン層と高融点金属シリサイド層をこの順に積層して形成した高融点金属ポリサイド層のドライエッチング方法において、ヨウ素系ガスを含むエッチングガスを用いてエッチングすることを特徴とする、ドライエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3213
FI (2)：
H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • ドライエッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-097914   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開平3-083335
  • 特開平4-096223
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Cited by examiner (4)
  • ドライエッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-097914   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開平3-083335
  • 特開平4-096223
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