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J-GLOBAL ID:200903000866278216

半導体装置及びその実装構造及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998048080
Publication number (International publication number):1998303358
Application date: Feb. 27, 1998
Publication date: Nov. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】本発明は実装密度を向上させるためリードの一部のみをパッケージの壁面に露出させた構成の半導体装置及びその実装構造に関し、半導体装置と実装基板との熱線膨張率差により発生する応力を緩和することにより実装性及び信頼性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】実装基板18にはんだ20を用いて表面実装される半導体装置10において、半導体チップ11と、この半導体チップ11を封止するパッケージ17と、一端側が半導体チップ11と電気的に接続されると共に他端側がパッケージ17の底面17aから露出して外部端子16を形成し、この外部端子16を除く他の部分はパッケージ17に封止された構成の複数のリード14と、このリード14の外部端子16に配設されパッケージ17の底面部17aから突出するよう形成されたリード側突出部19とを設ける。
Claim (excerpt):
実装基板に軟質接合材を用いて表面実装される半導体装置であって、半導体チップと、該半導体チップを封止するパッケージと、一端側が前記半導体チップと電気的に接続されると共に他端側が前記パッケージの壁面に露出して外部端子を形成し、該外部端子を除く他の部分は前記パッケージに封止された構成の複数のリードと、前記リードの外部端子に配設されており、前記パッケージの壁面より突出するよう形成されたリード側突出部とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/28
FI (4):
H01L 23/50 M ,  H01L 21/56 H ,  H01L 21/60 301 B ,  H01L 23/28 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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