電圧発生回路および半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001030329
Publication number (International publication number)：2002237183
Application date： Feb. 07, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体記憶装置に供給する電源電圧をクロック信号に応じて設定する。【解決手段】基準電圧発生手段1は、複数の基準電圧を発生する。クロック信号入力部2は、クロック信号を入力する。周期測定手段3は、クロック信号入力部2から入力されたクロック信号の周期を測定する。選択手段4は、周期測定手段3による測定結果に応じて、基準電圧発生手段1によって発生された基準電圧の何れかを選択する。電源電圧出力手段5は、選択手段4によって選択された基準電圧に対応する電源電圧を出力する。

Claim (excerpt)：

複数の基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、入力されたクロック信号の周期を測定する周期測定手段と、前記周期測定手段による測定結果に応じて、前記基準電圧発生手段によって発生された基準電圧の何れかを選択する選択手段と、前記選択手段によって選択された基準電圧に対応する電源電圧を出力する電源電圧出力手段と、を有することを特徴とする電圧発生回路。

IPC (2)：

G11C 11/407 , G05F 3/24

FI (3)：

G05F 3/24 B , G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 362 S

F-Term (22)：

5H420NA31 , 5H420NB02 , 5H420NB22 , 5H420NB31 , 5H420NB37 , 5H420NC06 , 5H420NC26 , 5M024AA40 , 5M024BB29 , 5M024BB40 , 5M024CC23 , 5M024DD83 , 5M024FF03 , 5M024FF07 , 5M024FF15 , 5M024HH01 , 5M024HH09 , 5M024JJ02 , 5M024PP01 , 5M024PP02 , 5M024PP03 , 5M024PP07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-072065 Applicant：富士通株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-238778 Applicant：三菱電機株式会社
タイミング信号発生回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-369789 Applicant：富士通株式会社

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Cited by examiner (10)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-072065 Applicant：富士通株式会社
同期型半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-273312 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-238778 Applicant：三菱電機株式会社

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