半導体装置の作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994156648
Publication number (International publication number)：1995335547
Application date： Jun. 14, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】レーザー光を用いた半導体装置の作製工程において、バラツキのでない構成を提供する。【構成】半導体特に珪素半導体に対するパルスレーザー光の照射に際して、そのパルス幅を1μs以上とする。こうすることで、珪素膜表面の溶融状態を長くすることができ、結晶性の高い珪素膜を得ることができる。このような構成は、非晶質珪素膜の結晶化、不純物イオン注入の後の活性化等に利用することができる。

Claim (excerpt)：

パルス幅が1μs〜100msのパルスレーザー光を非晶質珪素膜または非晶質化した珪素膜に対して照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

レーザー処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-307797 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平2-226732
特開平2-226732

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