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J-GLOBAL ID：200903001077969510

絶縁膜の形成方法

Inventor： 岩元 勇人 ,  佐々木 直人
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995145261
Publication number (International publication number)：1996316228
Application date： May. 19, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 熱処理やアミン系有機溶剤などの薬液による処理を行った後においても高い耐吸湿性が保持される絶縁膜を形成する。【構成】 Si-H結合を含む無機系の塗布型絶縁膜、例えば無機SOG膜4を半導体基板1上に塗布形成した後、その表面に、圧力が40Pa以下の雰囲気中でO2 イオンを主反応種としたアッシング処理を施す。

Claim (excerpt)：

Si-H結合を含む無機系の塗布型絶縁膜を基板上に形成した後、上記塗布型絶縁膜の表面に、圧力が40Pa以下の雰囲気中でO2 イオンを主反応種とした処理を施すようにしたことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/90 R ,  H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-196537
  
• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-183611   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-107021   Applicant：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス