Pat
J-GLOBAL ID：200903001126850303
記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
服部 雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004061013
Publication number (International publication number)：2004274055
Application date： Mar. 04, 2004
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：
【課題】 動作電流を減少させて高集積化に適する、記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。【解決手段】 記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子は、第1相変化物質パターン107a’と、第1相変化物質パターン107a’上に形成された高抵抗相変化物質パターン109a’とを備える。高抵抗相変化物質パターン109a’は第1相変化物質パターン107a’に比べて高い抵抗を有する。また、高抵抗相変化物質パターン109a’上に位置した第2相変化物質パターン107b’をさらに備える。この時、高抵抗相変化物質パターン109a’は第1相変化物質パターン107a’及び第2相変化物質パターン107b’の間に介在する。第1相変化物質パターン107a’、第2相変化物質パターン107b’及び高抵抗相変化物質パターン109a’は単結晶であり得る。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
第1相変化物質パターンと、
前記第1相変化物質パターン上の高抵抗相変化物質パターンとを備え、
前記高抵抗相変化物質パターンは、前記第1相変化物質パターンより高い抵抗を有することを特徴とする記憶素子のための貯蔵セル。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 B
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA18
, 5F083NA01
, 5F083PR12
, 5F083PR15
