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J-GLOBAL ID：200903001143229108

エピタキシャル結晶の評価方法

Inventor：
高草木 操

About 高草木 操

, 
赤松 和弘

About 赤松 和弘


Applicant, Patent owner：
株式会社日鉱マテリアルズ

About 株式会社日鉱マテリアルズ


Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001184327
Publication number (International publication number)：2003007788
Application date： Jun. 19, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】 SIMS分析に比較して非常に短時間で、かつ簡便にAlGaAs等の混晶化合物半導体層中の不純物濃度を評価する方法を提供する。【解決手段】 化合物半導体層を含む複数の結晶層が所定の積層構成を有するように形成されてなり、上記化合物半導体層中の不純物濃度が異なる複数のエピタキシャル結晶について、フォトルミネッセンス発光強度と前記半導体層中の不純物濃度を測定して検量線を導出し、上記エピタキシャル結晶と同一の積層構成を有する評価対象のエピタキシャル結晶について、フォトルミネッセンス発光強度を測定し、得られた測定値と前記検量線とから上記半導体層中の不純物濃度を定量してエピタキシャル結晶を評価するようにした。
Claim (excerpt)：
化合物半導体層を含む複数の結晶層が所定の積層構成を有するように形成されてなり、上記化合物半導体層中の不純物濃度が異なる複数のエピタキシャル結晶について、フォトルミネッセンス発光強度と前記半導体層中の不純物濃度を測定して検量線を導出し、上記エピタキシャル結晶と同一の積層構成を有する評価対象のエピタキシャル結晶について、フォトルミネッセンス発光強度を測定し、得られた測定値と前記検量線とから上記半導体層中の不純物濃度を定量することを特徴とするエピタキシャル結晶の評価方法。
IPC (3)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/64
FI (3)：
H01L 21/66 N ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/64 Z
F-Term (25)：
2G043AA01 ,  2G043BA01 ,  2G043CA05 ,  2G043DA09 ,  2G043EA01 ,  2G043FA07 ,  2G043GA25 ,  2G043GB21 ,  2G043KA02 ,  2G043LA01 ,  2G043NA11 ,  2G059AA01 ,  2G059AA03 ,  2G059BB16 ,  2G059CC03 ,  2G059DD20 ,  2G059EE07 ,  2G059FF08 ,  2G059HH02 ,  2G059KK01 ,  2G059MM12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA18 ,  4M106CB03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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