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J-GLOBAL ID：200903049677717593

半導体レーザ装置およびその評価方法

Inventor： 宮下 宗治 ,  藤井 就亮 ,  津上 真理 ,  三橋 豊
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994017151
Publication number (International publication number)：1995226564
Application date： Feb. 14, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【構成】 GaAs基板1上に、n型AlGaAs下クラッド層2、AlGaAsまたはGaAs活性層3、p型AlGaAs上クラッド層4を順次形成したDH構造を有する半導体レーザ装置において、レーザパルス光8を評価部分の活性層3に入射し、該活性層からのバンド端のPL光強度の減衰時定数を求めてこれよりフォトキャリアのライフタイムを求めることにより、該半導体レーザ装置のしきい電流密度Jthを評価する。【効果】 結晶成長後の簡単なエッチングだけでしきい電流密度の評価ができ、手間と時間をかけることなく、フィードバックを迅速にかけることができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板上に、第1導電型のAlGaAs下クラッド層、AlGaAsまたはGaAs活性層、及び第2導電型のAlGaAs上クラッド層を順次形成してなるダブルヘテロ構造を有し、上記AlGaAs下クラッド層中,および上記AlGaAs上クラッド層中に含まれる酸素原子の濃度が、1×1017cm-3以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/66 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

• 特開平3-253088
  
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234766   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭63-312649
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-136882   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置とその製造方法並びに製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-148262   Applicant：三菱電機株式会社
• 化合物半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-257003   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321853   Applicant：富士通株式会社
• 特開平3-245585
  
• 特開昭49-107483
  
• 特開昭63-250835
  
• 半導体結晶中の深い準位密度分布の評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-274545   Applicant：信越半導体株式会社
• 特開平1-239863
  
• 光デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-349682   Applicant：キヤノン株式会社
• 光デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-276603   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-053656   Applicant：富士通株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-198876   Applicant：三菱電機株式会社