半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲垣清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998197266
Publication number (International publication number)：2000031089
Application date： Jul. 13, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】ステップカバレッジが良く、かつ内部応力の低い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】コンタクトホール13を貫通させた絶縁膜上に、ステップカバレッジの良い条件でタングステン膜を成膜しつつ、コンタクトホール13をタングステンで埋め込む成膜工程を実施する。次いで、成膜工程で成膜したタングステン膜15の表面をシラン系化合物ガス雰囲気16に曝すことにより、シラン系化合物ガス分子又はシリコン原子をタングステン膜内に拡散させる拡散工程を実施する。この拡散により、タングステン膜15に生じている内部応力が緩和される。

Claim (excerpt)：

接続孔を貫通させた絶縁膜上にタングステン膜を成膜しつつ接続孔をタングステンで埋め込む成膜工程と、成膜工程で成膜したタングステン膜の表面をシラン系化合物ガス雰囲気に曝すことにより、シラン系化合物ガス分子又はシリコン原子をタングステン膜内に拡散させる拡散工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/90 C

F-Term (16)：

4M104AA01 , 4M104BB14 , 4M104DD06 , 4M104DD43 , 4M104DD86 , 4M104FF18 , 4M104HH13 , 5F033AA02 , 5F033AA29 , 5F033AA64 , 5F033AA72 , 5F033BA15 , 5F033BA25 , 5F033BA38 , 5F033DA07 , 5F033DA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭59-072131
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-276274 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-044613 Applicant：日本電気株式会社

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