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J-GLOBAL ID：200903001193382268

MOSトランジスタ及びその製造方法

Inventor：
綱川 豊廣

About 綱川 豊廣


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994069180
Publication number (International publication number)：1995283404
Application date： Apr. 07, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ゲート電極直下の酸化膜劣化を防止し、変動特性や耐圧特性等のデバイス特性を向上させたMOSトランジスタを提供する。【構成】 シリコン基板1上のゲート酸化膜3のうちゲート電極直下の部分を除去しておくと共に、一方、研磨用基板8側に、ゲート電極12とゲート材料パターン9とを形成しておく。そして、両基板どうしを張り合わせた後、研磨用基板8を裏面側から研磨して、ゲート電極直下に真空空間3Bを有するMOSトランジスタを形成する。これにより、変動特性や耐圧特性を向上させることが可能となる。
Claim (excerpt)：
半導体基体上に絶縁領域を介してゲート電極が形成され、且つ該半導体基体にLDD領域が形成されたMOSトランジスタにおいて、前記絶縁領域が真空空間であることを特徴とするMOSトランジスタ。
IPC (4)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • MISトランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-225019   Applicant：日産自動車株式会社
  • 特開昭63-044766
  • 特開昭61-183969
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Cited by examiner (7)
  • MISトランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-225019   Applicant：日産自動車株式会社
  • 特開昭63-044766
  • 特開昭61-183969
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