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J-GLOBAL ID：200903001229879490

発光ダイオード

Inventor： シン ジョンジュオン
Applicant, Patent owner： エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド
Agent (9)： 萼 経夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  舘石 光雄 ,  小野塚 薫 ,  ▲高▼ 昌宏 ,  中村 壽夫 ,  加藤 勉 ,  村越 祐輔 ,  小宮 知明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005025536
Publication number (International publication number)：2005223329
Application date： Feb. 01, 2005
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

【課題】光の放出効率のよい発光ダイオードを提供する。【解決手段】活性層10の上部のP-GaN層20には、P-GaN層20の屈折率より小さい屈折率を有する物質よりなるマイクロレンズ30が複数個、形成されている。マイクロレンズ30は、上面が凸状、あるいは上下に凸状であるように形成する。 活性層10から放出される光が臨界角より大きい角度(θ1)を有する経路(A)に進む時、P-GaN層20の内部にマイクロレンズ30が存在しない場合、全反射されて外部に放出できず、‘B'の経路に進む。P-GaN層20の内部にマイクロレンズ30が存在すれば、光はマイクロレンズ30で屈折され、マイクロレンズ30の曲率半径による臨界角より小さい角度(θ2)で外部に放出される‘C'の経路に進行する。活性層10から放出される光の全反射を減らすことができ、発光ダイオードの光抽出効率をアップすることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の上部にN型半導体層、活性層及びP型半導体層が順次に形成され、前記P型半導体層からN型半導体層の一部まで部分的にエッチングされることによって、前記N型半導体層の露出された領域の上部にN型電極パッドが形成され、前記P型半導体層の上部にP電極パッドが形成されている発光ダイオードにおいて、 前記N型半導体層とP型半導体層のいずれか一つの半導体層の内部領域とN型半導体層と、P型半導体層の双方の内部領域のうち、いずれか一つの領域には、相互に離隔され、前記N半導体層またはP型半導体層より屈折率が小さい複数個のマイクロレンズが配列されていることを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 A

F-Term (8)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CB14 ,  5F041CB36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 発光ダイオードとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-265115   Applicant：アーベル・システムズ株式会社
• LEDおよびLEDの組立方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-024950   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-320372   Applicant：三洋電機株式会社

Cited by examiner (3)

• 発光ダイオードとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-265115   Applicant：アーベル・システムズ株式会社
• LEDおよびLEDの組立方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-024950   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-320372   Applicant：三洋電機株式会社