Pat
J-GLOBAL ID:200903089499155154
LEDおよびLEDの組立方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上野 英夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999024950
Publication number (International publication number):1999274568
Application date: Feb. 02, 1999
Publication date: Oct. 08, 1999
Summary:
【要約】【課題】LEDの発生光の外部への結合効率を効率的に改善する。【解決手段】基板112上に堆積した半導体材料の第1の層13と共にp-nダイオードを形成する前記半導体材料の第2の層14と、第1と第2の層の間にあって、光を発生する発光領域18と、第2の層に堆積した第1の電極15と、第1の層に電気的に接続された第2の電極16が含まれている。基板112の上部表面に、光を散乱または回折するための突出部118及び/または陥凹部119が設けられる。第2の層の上部表面の粗面化も用いることができる。
Claim (excerpt):
上部表面を備えた基板と、前記基板上に堆積した半導体材料の第1の層と、第1の層と共にp-nダイオードを形成する前記半導体材料の第2の層と、前記第1と第2の層の間にあって、前記第1と第2の層の両端間に電位が印加されると、光を発生する発光領域と、前記第2の層に堆積した導電層からなる第1の接点と、前記第1の層に電気的に接続された第2の接点が含まれており、前記基板の前記上部表面に、光を散乱または回折するための突出部及び/または陥凹部が含まれていることを特徴とする、LED。
FI (2):
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
-
半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-028420
Applicant:シャープ株式会社
-
発光ダイオード及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-141641
Applicant:日立電線株式会社
-
発光ダイオードの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-250676
Applicant:日立電線株式会社
-
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-341612
Applicant:株式会社東芝
-
発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-064003
Applicant:ヒューレット・パッカード・カンパニー
-
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-236258
Applicant:株式会社東芝
-
特開平4-100277
-
窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-124154
Applicant:日亜化学工業株式会社
Show all
Return to Previous Page