Pat
J-GLOBAL ID：200903001313778101

シリコン鋳造用鋳型

Inventor：
天野 幸薫

About 天野 幸薫


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003332024
Publication number (International publication number)：2005095924
Application date： Sep. 24, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】鋳型内にシリコン融液を注湯する際、その後の凝固する際、あるいは鋳型に入れたシリコン原料を溶解する際に離型材が剥離してシリコン融液中に混入したり、離型材が鋳型に付着して鋳型が再使用できなくなったりすることを抑制し、鋳型材を黒鉛にした場合の酸化消耗や、鋳塊中の酸素濃度の増加を抑えたシリコン鋳造用鋳型を手間を省いて安価に提供する。【解決手段】鋳型内表面に離型材層を設けた鋳型内部のシリコン融液を凝固させるシリコン鋳造用鋳型において、前記離型材層は、鋳型に接する側に設けられた第一の離型材層と、シリコン融液に接する側に設けられた第二の離型材層とを具備するとともに、これらの各離型材層は、表面にシリカ層が形成された窒化珪素粉末を含有してなり、前記第二の離型材層は、前記第一の離型材層よりも前記窒化珪素粉末の含有比率が少ないことを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
鋳型内表面に離型材層を設けた鋳型内部のシリコン融液を凝固させるシリコン鋳造用鋳型において、前記離型材層は、鋳型に接する側に設けられた第一の離型材層と、シリコン融液に接する側に設けられた第二の離型材層とを具備するとともに、これらの各離型材層は、表面にシリカ層が形成された窒化珪素粉末を含有してなり、前記第二の離型材層は、前記第一の離型材層よりも前記窒化珪素粉末の含有比率が少ないことを特徴とするシリコン鋳造用鋳型。
IPC (3)：
B22C3/00 ,  B22D17/20 ,  C01B33/02
FI (3)：
B22C3/00 B ,  B22D17/20 D ,  C01B33/02 E
F-Term (12)：
4E092AA04 ,  4E092AA05 ,  4E092CA03 ,  4E092DA05 ,  4E092EA10 ,  4E092GA01 ,  4G072AA01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072NN02 ,  4G072UU02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM