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J-GLOBAL ID：200903001356619929
シリコンウェハーの常温接合法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
工業技術院機械技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996268028
Publication number (International publication number)：1998092702
Application date： Sep. 18, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】大きな接合強度を持ち、かつ荷重による押し付けや加熱処理を必要としないシリコンウェハーの接合方法を得ること。【解決手段】シリコンウェハーとシリコンウェハーとを接合する方法であって、両方のシリコンウェハーの接合面を接合に先立って室温の真空中での不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで10秒から1800秒照射してスパッタエッチングする
Claim (excerpt)：
シリコンウェハーとシリコンウェハーとを接合する方法であって、両方のシリコンウェハーの接合面を接合に先立って室温の真空中で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングすることを特徴とするシリコンウェハーの常温接合法
IPC (2)：
FI (2)：
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