堆積膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002103879
Publication number (International publication number)：2003293128
Application date： Apr. 05, 2002
Publication date： Oct. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】基板表面での反応ガス原子および原料粒子の反応性を高め、形成膜の化学量論組成からのずれを低減し、高品質化合物膜を高い成膜速度で形成することが可能な堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】被成膜基体に、被成膜基体に対向する原料粒子発生源から被成膜基体方向に放出される原料粒子と、上記被成膜基体および原料粒子発生源に挟まれる空間である原料粒子の飛翔空間に供給される反応ガス原子との化学反応による化合物膜を形成するための堆積膜形成方法において、化学反応を起こさせる反応ガス原子および原料粒子をイオン化させるために、励起状態の希ガス原子を上記原料粒子の飛翔空間に供給する。

Claim (excerpt)：

被成膜基体に、該被成膜基体に対向する原料粒子発生源から前記被成膜基体方向に放出される原料粒子と、前記被成膜基体および前記原料粒子発生源に挟まれる空間である原料粒子の飛翔空間に供給される反応ガス原子との化学反応による化合物膜を形成するための堆積膜形成方法において、前記化学反応を起こさせる前記反応ガス原子および前記原料粒子をイオン化させるために、励起状態の希ガス原子を前記原料粒子の飛翔空間に供給することを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/34 , C23C 14/24

FI (2)：

C23C 14/34 M , C23C 14/24 M

F-Term (7)：

4K029AA24 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029CA06 , 4K029DA04 , 4K029DA06 , 4K029EA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

イオンプレーティング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-257090 Applicant：石川島播磨重工業株式会社
イオン化スパッタリング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-085705 Applicant：アネルバ株式会社
特開昭63-050464

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