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J-GLOBAL ID：200903084106522795
スパッタ装置及びスパッタ方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000237317
Publication number (International publication number)：2002012970
Application date： Aug. 04, 2000
Publication date： Jan. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 基板への堆積膜を形成する速度を向上するとともに、成膜中の基板の昇温を防止することにより基板材質の制約を受けることなくスパッタを行う。【解決手段】 ターゲット2と基板9との間に配置され、スパッタ粒子をイオン化させる熱陰極方式のイオン化手段6を備え、イオン化手段6近傍に磁場発生手段7を配置して、磁場発生手段7により発生させた磁場により、イオン化手段6から発生させた熱電子をターゲット2側へ導くようにしている。これにより、主としてターゲット側でプロセスガスの励起が行われることとなり、基板側へのプラズマの拡散が抑止することができる。そして、ターゲット近傍におけるスパッタ粒子が増加して、スパッタの効率を向上するため基板表面における成膜速度を高めることができ、且つ、基板近傍へのプラズマの拡散を抑止することにより、基板温度の上昇を最小限に抑えることが可能となる。
Claim (excerpt)：
排気系を備えたスパッタチャンバーと、前記スパッタチャンバー内にプロセスガスを導入するためのガス導入手段と、前記スパッタチャンバー内に配置されたターゲットとを備え、前記ターゲットから蒸発させたスパッタ粒子を基板表面に堆積させるスパッタ装置であって、前記ターゲットと前記基板との間に配置され、前記スパッタ粒子をイオン化させる熱陰極方式のイオン化手段と、イオン化した前記スパッタ粒子が前記基板に入射されるよう、前記基板近傍に電界を形成するための電界発生手段とを備え、前記イオン化手段近傍に磁場発生手段を配置して、前記磁場発生手段により発生させた磁場により、前記イオン化手段から発生させた熱電子を前記ターゲット側へ導くようにしたことを特徴とするスパッタ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/35 Z
, H01L 21/203 S
4K029BD01
, 4K029DA06
, 4K029DC00
, 4K029DC43
, 5F103AA08
, 5F103BB06
, 5F103BB09
, 5F103BB14
, 5F103BB16
, 5F103BB22
, 5F103BB23
, 5F103BB32
, 5F103DD27
, 5F103DD28
, 5F103DD30
, 5F103HH03
