イオン化スパッタリング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：保立浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997085705
Publication number (International publication number)：1998259480
Application date： Mar. 18, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】高アスペクトのホールの内面にボトムカバレッジ率よく成膜を行えるようにする。【解決手段】ターゲット2から放出されたスパッタ粒子は、イオン化空間に高周波プラズマを形成するイオン化手段6によりイオン化され、イオン化空間と基板との間に設定された基板50に垂直な引き出し用電界によって引き出されて基板50に効率よく入射する。イオン化空間のプラズマPは、周囲に設けられた複数の永久磁石81よりなる磁石機構8によって拡散が防止され、高密度プラズマになる。また、イオン化空間から基板50に達する磁力線を設定して、プラズマP中でイオン化したスパッタ粒子を基板50に導くようにすれば、さらにボトムカバレッジ率が向上する。

Claim (excerpt)：

排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、ターゲットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、スパッタによってターゲットから放出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段と、イオン化したスパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えたイオン化スパッタリング装置であって、前記イオン化手段は、ターゲットと基板ホルダーとの間のイオン化空間にプラズマを形成するよう構成され、さらに、イオン化空間からのプラズマの拡散を防止する磁場を設定する磁石機構を備えていることを特徴とするイオン化スパッタリング装置。

IPC (3)：

C23C 14/46 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (3)：

C23C 14/46 Z , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-094056
スパッタリング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-020284 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平2-133570

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